RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
59
En -168% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3205
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link