RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
59
64
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
64
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2067
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link