RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
59
En -111% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3660
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link