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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
69
En -188% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2509
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
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Kingston 9905663-021.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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