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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
58
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2809
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
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