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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.7
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
58
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
9.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2172
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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