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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Puntuación global
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SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 13.8
    Valor medio en las pruebas
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    40 left arrow 58
    En -45% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.3 left arrow 1,950.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 6400
    En 3 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    58 left arrow 40
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,241.0 left arrow 13.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,950.7 left arrow 10.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    651 left arrow 2340

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones

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Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
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Memoria RAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
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Memoria RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
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Memoria RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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Memoria RAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
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Memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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Memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
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Memoria RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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Memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081 4GB
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SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
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Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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