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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
58
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3029
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
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