RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
46
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.3
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
3200
En 8 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
36
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
21.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
25600
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3610
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link