RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
77
En -221% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2865
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link