RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
71
77
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
71
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
1813
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link