RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
77
En -221% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2913
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link