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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
77
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2159
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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