RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
77
En -235% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2886
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link