Comparación de la memoria RAM Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Puntuación global

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

24 36

En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.6 15

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.1 10.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 17000

En 1.13 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2569 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns