RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
33
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2383
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link