Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Puntuación global
star star star star star
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    23 left arrow 42
    En 45% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 13.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.3 left arrow 8.0
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    23 left arrow 42
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.4 left arrow 13.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 8.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2269 left arrow 2152
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones