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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2086
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
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