Comparación de la memoria RAM Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston HX316C10F/8 8GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston HX316C10F/8 8GB

Puntuación global

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Razones a tener en cuenta
Kingston HX316C10F/8 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

36 38

En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

14.7 13.7

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.2 8.5

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

12800 10600

En 1.21 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1865 2585

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns