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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3564
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
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