RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
36
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
36
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2081
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link