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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
39
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
3005
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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