RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Compara
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
52
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
27
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
3337
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link