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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
10
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
14900
En 1.43 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
52
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
21300
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
2306
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
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