RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3495
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link