RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
26
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
18
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3507
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
OCZ OCZ2RPX8002G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link