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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905713-008.A00G 4GB

Puntuación global
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Puntuación global
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Kingston 9905713-008.A00G 4GB

Kingston 9905713-008.A00G 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.8 left arrow 12.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 5.6
    Valor medio en las pruebas
Kingston 9905713-008.A00G 4GB Razones a tener en cuenta
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
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  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    26 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.8 left arrow 12.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 5.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2143 left arrow 1970

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Kingston 9905713-008.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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