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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
44
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
40
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3015
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
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