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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Puntuación global
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    10.4 left arrow 6.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 6.3
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    45 left arrow 47
    En -4% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    47 left arrow 45
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.4 left arrow 6.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 6.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2169 left arrow 1499

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM

V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Memoria RAM
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Memoria RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Memoria RAM
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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Memoria RAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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