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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
33
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3136
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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