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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
54
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
42
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2701
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
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