RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
54
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3756
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link