RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Compara
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
51
En -168% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
19
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2049
3165
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link