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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
49
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2600
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
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