RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
49
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.6
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.2
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
21.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
18.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3890
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link