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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3159
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
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