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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
42
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2554
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
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