RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1699
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link