RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
es
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Puntuación global
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 9.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 6.9
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    41 left arrow 42
    En -2% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    42 left arrow 41
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 9.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 6.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2423 left arrow 2044

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Comparaciones de la memoria RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Memoria RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Memoria RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Memoria RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Memoria RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Memoria RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Memoria RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Memoria RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Memoria RAM