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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
104
En -181% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.6
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2082
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
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