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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
64
74
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.6
2,201.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
64
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
1808
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905713-001.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
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