RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
73
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2917
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link