RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
73
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2848
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link