RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
68
En -183% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
2508
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link