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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Compara
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Kingston KF552C40-16 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston KF552C40-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KF552C40-16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
13.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR5
Latencia en PassMark, ns
33
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
13.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2987
3343
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
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