RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
38
En -9% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2636
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Lenovo 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link