RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
38
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
15.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
33
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2847
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link