RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
74
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
74
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
1849
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link