RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
38
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
23
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2922
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link