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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Compara
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
60
En 23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
4.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
60
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
6.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
4.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2072
1400
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
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